采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23995}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：750mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS070N05HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
