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    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9875-100A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9875-100A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9875-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD7N90K5
    ST Mosfet场效应管 STD7N90K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB23XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6569,"23+":9485}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@400V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:699
    ST Mosfet场效应管 STD9N80K5 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N80K5 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:592
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STL7N10F7
    ST Mosfet场效应管 STL7N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86141
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86141

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86141

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:934pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7880-55A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7880-55A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9880-55A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9880-55A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9880-55A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25KTC 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25KTC 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.11W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.2W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4744NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4744NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":1000,"08+":149685,"09+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4744NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:880mW€47.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1145
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9880-55A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9880-55A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9880-55A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:190
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3899,"23+":4194}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.2W

    阈值电压:3.5V@140µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R750P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.2W

    阈值电压:3.5V@140µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7880-55A/CUX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7880-55A/CUX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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