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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
