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    连续漏极电流: 14.5A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:80+
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    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32314

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1420pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3411}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N50E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N50E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1162pF@100V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订596个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订596个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6539,"9999":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N50E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N50E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1162pF@100V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32314

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1420pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6539,"9999":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2008LFU-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2008LFU-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2008LFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250A

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1418pF@10V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6539,"9999":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N50E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N50E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1162pF@100V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3411}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ-G 起订758个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6673BZ-G 起订758个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6673BZ-G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    输入电容:4.7nF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2008LFU-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2008LFU-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2008LFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250A

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1418pF@10V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N50E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N50E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1162pF@100V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32314 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32314

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1420pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N50E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N50E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1162pF@100V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2008LFU-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2008LFU-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2008LFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250A

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1418pF@10V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5.4mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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