品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:122pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:1A
功率:350mW€6.25W
类型:1个P沟道
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:360mW
阈值电压:950mV@250μA
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:450mΩ@4.5V,300mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:360mW
阈值电压:950mV@250μA
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:450mΩ@4.5V,300mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: