品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT1N300P3HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:195W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:895pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@500mA,10V
漏源电压:3000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY1N120P
包装方式:管件
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY1N120P
包装方式:管件
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY1N120P
包装方式:管件
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:40Ω@500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:40Ω@500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:40Ω@500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:646pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:40Ω@500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: