采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@600mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3462-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：785mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLD110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：管件
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@600mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10HZGTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD110PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP322PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@380µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10HZGTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10HZGTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
