采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4151TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：98pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
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类型：P沟道
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漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4151TZ-E
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功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
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输入电容：98pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
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连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
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输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4151TZ-E
工作温度：150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4V
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输入电容：98pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：1A
类型：P沟道
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漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
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类型：P沟道
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漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
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连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
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栅极电荷：4nC@10V
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连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
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连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
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导通电阻：1.2Ω@1A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
输入电容：210pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：728psc
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
类型：1个N沟道
输入电容：85pF@10V
漏源电压：150V
功率：900mW
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极电荷：4.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
类型：1个N沟道
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
功率：900mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：210pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
