品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF010P05TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:460mΩ@1A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF010P02TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB320UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB320UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@5V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF010P05TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:460mΩ@1A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB320UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB320UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB320UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI01P10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@40V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ350UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@5V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ320UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:122pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:510mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF010P02TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF010P05TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:460mΩ@1A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@5V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: