销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
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栅极电荷:5.7nC@10V
类型:N沟道
输入电容:90pF@25V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
功率:2W
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