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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6401TR(UMW)
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6401
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250μA
输入电容：830pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：125pF@10V
导通电阻：50mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：6.9nC@4.5V
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
输入电容：570pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.3A
阈值电压：1.1V@10μA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
