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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10μA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
输入电容：570pF@16V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：6.9nC@4.5V
导通电阻：54mΩ@4.5V，4.3A
输入电容：570pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.3A
阈值电压：1.1V@10μA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
功率：1.3W
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