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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
