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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4800
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7313QTR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6400
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
