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    连续漏极电流: 20A(Ta)
    当前匹配商品:8
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ20S04M3L(T6L1,NQ 起订数100个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ20S04M3L(T6L1,NQ 起订数100个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    类型:P 通道

    功率:41W(Tc)

    连续漏极电流:20A(Ta)

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    漏源电压:40V

    工作温度:175°C(TJ)

    输入电容:1850 pF @ 10 V

    阈值电压:3V @ 1mA

    导通电阻:22.2 毫欧 @ 10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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