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    连续漏极电流: 6.2A
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:80+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENER

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:700mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订46个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订46个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订52个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订52个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3404 起订84个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3404 起订84个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3404

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:9.8nC

    输入电容:255pF

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:35pF

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3404 起订108个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO3404 起订108个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3404

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:9.8nC

    输入电容:255pF

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:35pF

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7-ES 起订1050个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7-ES 起订1050个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7-ES

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:9.8nC

    输入电容:255pF

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:35pF

    导通电阻:17mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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