品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6Q60W,S1VQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@310µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@300V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:820mΩ@3.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6Q60W,S1VQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@310µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@300V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:820mΩ@3.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:13nC@20V
包装方式:管件
输入电容:200pF@1000V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
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