采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT200EPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：822pF@35V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：167mΩ@2.4A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP2955G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：196mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1312pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100XPEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：463mW€1.9W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：128mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：66000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4065S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@20V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
