品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N04R2G
功率:1.29W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@32V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@5.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N04R2G
功率:1.29W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@32V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@5.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: