品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3401-3/TR
功率:1.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:24.8nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:38mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3401-3/TR
功率:1.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:24.8nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:38mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G500P03IE
阈值电压:1.3V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:10.1nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G500P03IE
阈值电压:1.3V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G500P03IE
阈值电压:1.3V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:118pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3401-3/TR
功率:1.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:24.8nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:38mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:4.6A
输入电容:820pF@15V
栅极电荷:10.1nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.6A
类型:1个P沟道
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
输入电容:793pF@15V
功率:560mW€6.25mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:4.6A
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: