品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":750,"9999":347}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4088LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€37W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1K0A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@770µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1K0A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@770µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":750,"9999":347}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4088LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€37W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":750,"9999":347}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4088LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€37W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":750,"9999":347}
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规格型号(MPN):2SK4088LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€37W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2SK4088LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€37W
栅极电荷:37.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2SK4088LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€37W
栅极电荷:37.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: