采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：484W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：196nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：484W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：196nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@32V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
导通电阻：4mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：59nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：5300pF@40V
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：116A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：14400}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTB5405NT4G
包装方式：卷带（TR）
功率：3W€150W
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@40A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
输入电容：4000pF@32V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：88nC@10V
连续漏极电流：116A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：310956，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL2203NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3290pF@25V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：484W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：196nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：484W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：196nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
