品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@18V
包装方式:管件
输入电容:454pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@6A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:23nC@15V
包装方式:管件
输入电容:724pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2009
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4229PBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:46W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4480pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@11A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":350}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP19N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@9.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: