采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：201mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：201mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4039，"21+"：12687}
包装规格(MPQ)：144psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7651，"19+"：33008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP19N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@9.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
