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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
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功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
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栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NX138AKMYL
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功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
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功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
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功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
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输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKMYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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