采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55XNEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：550mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202N L6327
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：Reel
输入电容：1147pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM2301-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR224TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSF8309S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD450
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€25W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：3.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.8A，15V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55XNEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：550mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：800，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0690N1507L
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8775pF@75V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@17A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55XNEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：550mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
