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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：22899，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：800，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0690N1507L
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8775pF@75V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@17A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：22899，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：800，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0690N1507L
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8775pF@75V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@17A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF4N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：800，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0690N1507L
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8775pF@75V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@17A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：800，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0690N1507L
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8775pF@75V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@17A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：800，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0690N1507L
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8775pF@75V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@17A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
