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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
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包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
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输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFI4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF4N62K3
工作温度：150℃
漏源电压：620V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：550pF@50V
功率：25W
连续漏极电流：3.8A
包装方式：管件
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
连续漏极电流：3.8A
输入电容：102pF@0V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：16V
工作温度：150℃
功率：15W
类型：N沟道
阈值电压：750mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：9270}
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规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQA0002DNSTB-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：750mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：102pF@0V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
漏源电压：16V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFI4N62K3
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.9A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
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