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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A04DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A04DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@5.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A04DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A04DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@5.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:429
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

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    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:30
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1200
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A04DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A04DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@5.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

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    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

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    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
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