采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4346DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.31W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N-Channel
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17585F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
