品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
导通电阻:38mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:424pF@5V
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402L-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:52mΩ@4A,10V
输入电容:464pF@15V
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:676pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
导通电阻:45mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P-Channel
栅极电荷:16nC@10V
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
栅极电荷:5.5nC@4.5V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:464.3pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402LQ-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:52mΩ@4A,10V
输入电容:464pF@15V
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:676pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
导通电阻:45mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:676pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
导通电阻:45mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:465pF@15V
导通电阻:52mΩ@4A,10V
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
导通电阻:38mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:424pF@5V
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
导通电阻:38mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:424pF@5V
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
栅极电荷:5.5nC@4.5V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:464.3pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
导通电阻:38mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
输入电容:424pF@5V
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P-Channel
输入电容:336pF@25V
导通电阻:65mΩ@4A,10V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:676pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3418L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464.3pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: