采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：AOU4N60
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阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：AOU4N60
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阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
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功率：50W
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类型：N沟道
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输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
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规格型号(MPN)：AOU4N60
工作温度：-50℃~150℃
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包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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功率：104W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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