品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4N50C
功率:33W
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4N50C
功率:33W
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N50CTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":257,"22+":154}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N50CTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50NZTM
输入电容:440pF@25V
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: