采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3407SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03FRATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402A
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J4TR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3418L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32338C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2409-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1634
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
