品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4N60K
功率:44.6W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3Ω@10V,2A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK60ZT4
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: