品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP3415ELT1G
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:85mΩ@1.8V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.25W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP3415ELT1G
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:85mΩ@1.8V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTL3415K
功率:1.67W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
栅极电荷:10.2nC@4.5V
功率:900mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: