采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5270，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2408-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56975，"13+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56975，"13+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5270，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2408-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2408-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB38UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：268pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
