品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: