品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
连续漏极电流:540mA
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
类型:1个N沟道
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:430mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670S2L H6327
功率:360mW
阈值电压:2V@2.7μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@10V,270mA
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: