采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBFXKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBFXKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40M35JVR
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：1065nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20160pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@46.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBFXKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBFXKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4768PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：520W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10880pF@50V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@56A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
