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    连续漏极电流: 42A
    包装方式: 卷带(TR)
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN028-100YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN028-100YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN028-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1634pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3710ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3710ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2930pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3110ZTRPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3110ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1310NSTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N-Channel

    导通电阻:36mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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