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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：800V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
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连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
输入电容：3100pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
栅极电荷：200nC@10V
连续漏极电流：7.8A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
输入电容：3100pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
栅极电荷：200nC@10V
连续漏极电流：7.8A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
输入电容：3100pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
栅极电荷：200nC@10V
连续漏极电流：7.8A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
输入电容：3100pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
栅极电荷：200nC@10V
连续漏极电流：7.8A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE50PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
