采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：300psc
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
输入电容：1500pF@400V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
导通电阻：41mΩ@32A，10V
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
功率：187W
连续漏极电流：47.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035G4WSQA
输入电容：1500pF@400V
类型：N沟道
阈值电压：4.8V@1mA
导通电阻：41mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
功率：187W
连续漏极电流：47.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：300psc
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
输入电容：1500pF@400V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
导通电阻：41mΩ@32A，10V
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
功率：187W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：47.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
