品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
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输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
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类型:P沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:2005pF@20V
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类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
输入电容:1686pF@20V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
栅极电荷:41nC@10V
连续漏极电流:10.8A
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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