采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2243，"11+"：4000，"12+"：7975}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：32.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1505pF@100V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@5.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2243，"11+"：4000，"12+"：7975}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：32.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1505pF@100V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@5.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP11N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1505pF@100V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@5.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP11N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1505pF@100V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@5.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2243，"11+"：4000，"12+"：7975}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：32.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1505pF@100V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@5.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2243，"11+"：4000，"12+"：7975}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：32.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1505pF@100V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@5.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
