采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
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连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
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功率：1.1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
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阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
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连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5442}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：3.8nC @ 4.5V
输入电容：279pF @ 10V
连续漏极电流：1.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：200 毫欧 @ 1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2088DE6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：279pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2088DE6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：279pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
