采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4159NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：67883，"22+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：67883，"22+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4159NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
输入电容：710pF@4V
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：67883，"22+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4159NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1045pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
