采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN37ENEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V
栅极电荷：8.8nC
连续漏极电流：3.6A
类型：MOSFET
导通电阻：60mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN37ENEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V
栅极电荷：8.8nC
连续漏极电流：3.6A
类型：MOSFET
导通电阻：60mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7415DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
