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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：14Ω@100μA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：14Ω@100μA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：14Ω@100μA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：14Ω@100μA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
类型：1个N沟道
功率：360mW
导通电阻：14Ω@100μA，10V
连续漏极电流：100mA
漏源电压：250V
输入电容：76pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
类型：1个N沟道
功率：360mW
导通电阻：14Ω@100μA，10V
连续漏极电流：100mA
漏源电压：250V
输入电容：76pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3018
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V
输入电容：13pF
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：8Ω@4.0V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56μA
栅极电荷：3.5nC@5V
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：14Ω@100μA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：470mW
导通电阻：2Ω@4V，100mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
输入电容：32pF@25V
栅极电荷：450pC@4.5V
连续漏极电流：100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：3Ω@10mA，4V
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：100mA
输入电容：9.3pF@3V
包装清单：商品主体 * 1
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