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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
输入电容：1200pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
功率：950mW
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
漏源电压：30V
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6A
导通电阻：28mΩ@6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
漏源电压：30V
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6A
导通电阻：28mΩ@6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K13TCR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
